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中科院新合金材料突破相变存储器的速度极限:亚搏网页登陆2021-03-01 16:51

本文摘要:中国科学院上海微系统及信息技术研究所副研究员老峰和同事们开发了新的热力学材料3354钚合金,可以在近1纳秒内制造出多愁善感型和玻璃态之间的转变。该研究结果在本周发行的《科学》杂志上公开发表,突破了热力学存储器(PCRAM)的存储速度无限,为构建我国自主标准化存储技术奠定了基础。 经过数十年的发展,计算机已经变得更小、更慢、更便宜,存储性能提高后面临的挑战也更加不利。

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中国科学院上海微系统及信息技术研究所副研究员老峰和同事们开发了新的热力学材料3354钚合金,可以在近1纳秒内制造出多愁善感型和玻璃态之间的转变。该研究结果在本周发行的《科学》杂志上公开发表,突破了热力学存储器(PCRAM)的存储速度无限,为构建我国自主标准化存储技术奠定了基础。

经过数十年的发展,计算机已经变得更小、更慢、更便宜,存储性能提高后面临的挑战也更加不利。静态/动态随机存储器(SRAM存储器//DRAM存储器)是需要与计算机中央处理器交换数据的临时存储介质,可以根据需要放置数据或现金。

本世纪初,科学家们明确表示PCRAM是一种非常有希望的新型非挥发性存储器。在两种状态之间切换,分别代表“0”和“1”展开存储。目前使用最广泛的热力学材料是锗(GST),为了满足当今计算机对高速随机存储的市场需求,状态转换必须在亚洲10纳秒内完成,锗的热力学速度一般必须为数十到数百纳秒,太快了,不能比较或替代现有的DRAM和SRAM内存。刘峰和同事们通过理论验证,将过渡族金属重新添加到钚合金中,可以在更高的温度下构成更稳定的钚化学键,从而加速由晶核组成的钚合金。

他们还制造了这种新的热力学材料,通过实验证明,新材料能在700微秒(0.7纳秒)内缓慢地完成晶体和玻璃状态的热力学共轭转换。研究人员回应说,随着这一速度的提高,热力学内存今后将取代现有的高速内存,变得简单,未来将会朝着大大提高计算机整体性能、更慢、功耗更低、寿命更长的方向发展。


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